Deklaracja zgodno ści ( r &tte) – Samsung SGH-E530 Instrukcja Obsługi
Strona 110
Deklaracja zgodno
ści (
R
&TTE)
D
o
tycz
y na
st
ępu
ją
ce
g
o
pr
odu
kt
u:
GS
M90
0/
G
SM1
800 c
yf
ro
w
y
te
lef
on k
omór
kow
y
(naz
w
a pr
od
uktu)
SG
H-E
53
0
(naz
w
a m
od
elu)
W
ypr
od
u
ko
w
an
y w:
- Samsun
g Ele
ctr
on
ics C
o.,
L
td
, 94-
1,
Imsoo-
D
ong,
Gumi C
ity
, Kyung Buk, Kor
ea
, 730-
35
0
(naz
w
a pr
od
uce
nta,
ad
re
s*
)
którego dotyczy nini
ejsza
dekl
aracja, jest
zg
odny z ni
żej
wym
ienionymi standardam
i i dokum
entami
normatyw
nymi.
Bezpiecze
ń
stwo
: EN 60950-1:2001
EMC
: EN 301 489-01 v1.4.1
(2002-08)
EN
301 4
89-
07
v1.2.1
(2002-08)
EN
301 4
89-
17
v1.2.1
(2002-08)
SAR
: EN 50360:2001
EN 50361:2001
Si
eć
: EN 301 51
1 v9.0.
2
(2003-03)
EN
300
328
v1.4.1 (2003-04)
Niniej
sz
ym o
św
ia
dczamy
, ż
e
przeprowadzo
no wszys
tkie kluczo
w
e zestawy
test
ów
transm
is
ji w
pa
śmie radiowy
m
oraz
że w
yż
ej
w
ymieniony produk
t odp
owiada
wszystkim kluczow
ym wym
agani
om Dyrektyw
y
1999/
5/
W
E
.
Procedura badan
ia
zgod
no
ści,
o której mow
a
w
ar
tyku
le
10 i która
zo
st
ał
a wysz
czególniona w za
łą
czniku [I
V]
Dyrektywy 1999/
5/WE
, zosta
ła przeprowad
zona przy wspó
łudziale nast
ępuj
ącej i
nst
yt
uc
ji:
BABT
, B
al
fo
u
r
Ho
us
e,
C
hur
ch
fi
el
d
R
oad
,
W
alt
on
-o
n-
Tha
mes
, KT
12
2
T
D,
UK
O
zna
cz
en
ie
id
en
ty
fi
ka
cy
jn
e:
0
16
8
D
oku
men
ta
cj
a
te
chni
cz
na
je
st
p
rz
ec
how
ywa
n
a w
:
S
am
sung E
lec
tr
onic
s Q
A
Lab
.
i b
ędzi
e u
dos
tę
pn
ia
na
n
a
żą
da
ni
e.
(Pr
ze
ds
ta
wi
ci
el
w UE
Sam
sung Elec
tr
onic
s Euro
QA
Lab.
Blac
kbus
he Bus
ines
s
Park
, S
ax
ony
W
ay
,
Yat
eley
, H
am
ps
hire,
GU
46 6G
G,
U
K
2005.
04.
07
Yo
ng-
Sang
Park
/ S
. M
a
na
ge
r
(m
ie
jsce
i da
ta w
ystaw
ie
ni
a)
(na
zw
isko
i po
dpi
s
osob
y u
pow
a
żni
o
nej
)
*
N
ie
je
st
to
adr
es
ce
nt
ru
m se
rw
is
owe
go
fi
rm
y Sa
msu
ng
. Ad
re
s i
nu
mer
te
le
fonu
ce
nt
ru
m se
rwi
sowe
go
firm
y Sa
m
su
ng
m
oż
na
z
na
le
źć
n
a
ka
rc
ie
gw
ar
an
cy
jn
ej
lu
b u
zy
sk
ać
od
s
pr
ze
da
w
cy
, u
k
tór
eg
o za
ku
pi
on
o
te
le
fo
n.